当社では、半導体プロセスの研究開発や評価に欠かせないパターンウェハを幅広く取り揃えています。

厳格なプロセス管理のもとで製造を行い、高品質かつ安定した製品をお届けします。標準的なマスクパから各用途に特化したオリジナルマスクまで、幅広いご要望に対応する豊富なバリエーションをご用意しており、多様な研究・開発のニーズにお応えします。

掲載されているラインナップ以外の仕様にも対応可能ですので、ぜひお気軽にお問い合わせください。

●MIT 854/754 パターンウェハ

Cu CMP(TEOS Etch/Cu Fill), W CMP(TEOS Etch/W Fill), 各種STI Patten(Poly-Si, HDP, SiN Fill etc.)

●MIT 864/764 パターンウェハ

各種STI, ILD Pattern(HDP, TEOS, SiN, Poly-Si Fill etc.)

●AMT STIパターンウェハ(min. 0.18um LS) -S3パターンウェハ

各種STI, ILD Pattern(HDP, TEOS, SiN, Poly-Si Fill etc.)

●AMT 3D-ILD パターンウェハ

高段差ILD CMP評価用パターン(1mm~大パターン、2um,3um 深さ等)

●AMT Cu Hybrid Bonding CMPパターンウェハ(min. 0.25um Hole)

Cu CMP(TEOS Etch/Cu Fill), W CMP(TEOS Etch/W Fill),

●AMT TSV Pattern

φ5um*50um Depth, φ10um*100um Depth etc.

●パッケージング開発向けレジストパターン、Bump・RDL パターン

Fine French Pattern(min. 20nm L/S), RDL Pattern(L/S=5um), φ5um μ-Bump, φ25um Cu Pillar Bump etc.